维度网讯，GlobalFoundries（GF）宣布，其SLATE晶圆到晶圆键合技术已在业界领先的9SW射频绝缘体上硅（RF-SOI）平台上实现量产就绪，可为紧凑型高性能蜂窝前端提供先进3D集成（3DI）。该技术将在GF位于新加坡的300mm晶圆厂制造，预计于2027年下半年进入量产。

GF的第一代SLATE技术支持晶圆到晶圆（W2W）键合，设计人员可利用该技术将两片9SW晶圆键合，在垂直架构中堆叠和集成大尺寸场效应晶体管（FET）。通过在键合晶圆上折叠大尺寸FET，SLATE技术可将整体芯片尺寸减小多达45%，从而减少智能移动设备中包括开关、低噪声放大器（LNA）和天线调谐器在内的空间受限应用的射频板空间和总设计面积。

9SW RF-SOI平台于2023年首次推出，是GF最先进的射频前端模块（FEM）解决方案，覆盖5G移动设备和卫星通信的sub-8GHz和FR3频段。作为GF第四代XSW技术，9SW将待机电流显著降低以延长电池寿命，并通过更低导通电阻和关断电容（Ron*Coff）实现了超过20%的效率提升。

GF射频业务高级副总裁Shankaran Janardhanan表示，在9SW上部署SLATE代表了射频集成领域的重要一步，可使客户在不牺牲射频性能的情况下，为下一代5G设备设计更紧凑、更节能的解决方案。他表示，通过将业界领先的9SW平台与SLATE先进封装技术相结合，正在为下一代移动和无线应用的创新解锁新机遇。

Cadence定制IC和PCB集团企业副总裁Vinod Kariat表示，GF的SLATE技术应用于其9SW平台代表了射频前端集成的重要进步，设计人员可利用该技术克服传统的缩放和集成挑战。通过Cadence的Virtuoso Studio同质集成、分析和验证，用户可以释放SLATE的3D集成潜力，为设计人员提供速度和信心，将下一代5G前端模块从概念推向硅片。

GF的SLATE晶圆到晶圆键合技术为其差异化技术（包括FDX FD-SOI、RF-SOI和硅锗（SiGe））提供了异构3DI路线图，从而在数据中心、卫星连接、物联网和移动设备等不同市场中实现更强大的系统级能力。通过GF Connect门户可获取集成工艺设计套件（PDK），以帮助快速启动设计流程。9SW和9SW SLATE可通过GF的GlobalShuttle多项目晶圆计划进行原型验证，计划于今年下半年启动流片。

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