韩国三星预计四季度量产UFS 5.0 性能提升超两倍
2026-07-01 10:41
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维度网讯,三星电子(Samsung Electronics)推出了业界首款通用闪存(UFS)5.0解决方案,顺序读取速度达到10.8 GB/s,顺序写入速度为9.5 GB/s。这款新型闪存基于最新的JEDEC UFS 5.0嵌入式存储规范,主要面向下一代智能手机、XR头显、可穿戴设备及其他边缘 AI 设备,这些设备越来越多地在本地运行大型语言模型,而非依赖云端处理。三星计划在2026年第四季度开始量产该产品,容量最高为1 TB。

三星表示,新UFS 5.0架构的性能是上一代UFS 4.1的两倍以上,电源效率提升超过40%。其效率提升得益于新的时钟门控和多电压技术,这些技术能够在数据传输过程中降低能耗。更高的吞吐量有助于减少存储延迟,加速AI模型参数、应用资产和多媒体数据在存储与处理器之间的传输,从而提升设备端生成式AI工作负载的响应速度。

三星还将物理封装尺寸缩小至7.5×13×0.9毫米(0.30×0.51×0.035英寸),比上一代产品减小约16.7%。更小的占用面积使原始设备制造商(OEM)可以获得更多板载空间,用于安装更大容量的电池、更多传感器或更好的散热方案,同时也有助于设计更薄的AI智能手机和扩展现实设备。三星预计UFS 5.0将成为未来支持AI的移动产品的基础存储平台。

“在设备端AI时代,存储设备正演变为定义AI体验的关键驱动力。随着我们成功超越业界首款UFS 5.0解决方案的开发阶段,三星正在为移动存储设立新标准,并将继续推动下一代移动平台市场的创新,”三星电子内存产品规划主管Jangseok Choi表示。

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