维度网讯，美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）在美光半导体工厂活动现场直接点名三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK hynix），要求其扩大在美国的内存半导体生产设施投资。这一信号显示出美国政府正加大施压力度，意图将全球半导体企业的生产基地吸引至本国。

卢特尼克出席了在纽约州克莱（Clay）举行的美光半导体工厂混凝土浇筑纪念活动，并在会上提及了这两家韩国企业对美投资的情况。他表示正在与三星电子和SK海力士讨论在美国投资生产设施的方案，但未透露具体协商内容。卢特尼克说：“我们也希望把竞争对手三星电子和SK海力士拉到美国来建生产设施。”他还声称美光在美投资方面走在前列，竞争对手们会随之跟进，并重申了特朗普政府保护美国企业和投资知识产权的政策方向。

卢特尼克的此番言论被解读为要求三星电子和SK海力士超越现有对美投资范围，在美国建设内存生产设施。目前，三星电子正在得克萨斯州泰勒（Taylor）建设代工厂；SK海力士计划在印第安纳州建设人工智能（AI）用内存先进封装生产基地和研发设施。但两家公司的对美投资均未包含生产DRAM和NAND的前工序晶圆厂。

美国政府正推行扩大本国生产设施投资的政策，以降低半导体供应链对海外的依赖。其方式是在提供补贴和税收优惠的同时，提及加征关税的可能性，以此向全球半导体企业施压，要求其在当地生产。

美光当天宣布，到2035年将向美国国内半导体生产设施和技术投资超过2500亿美元（约375万亿韩元），较此前2000亿美元的计划增加了500亿美元。投资包括纽约州新建晶圆厂、扩建和现代化改造爱达荷州和弗吉尼亚州生产设施等。美光还将纽约晶圆厂的首次混凝土浇筑时间比原计划提前了超过一个季度。该公司目标是将DRAM产量的40%在美国生产，预计投资过程将在全美创造超过9万个就业岗位。

美光还将进行单独投资以加强美国半导体供应链生态系统，计划为材料、零部件合作伙伴提供最高30亿美元的支持。其中5亿美元将用于支持台湾环球晶圆（GlobalWafers）在得克萨斯州的硅晶圆生产设施扩建，并签订长期供应合同。美光扩大投资被解读为，在AI基础设施普及导致DRAM和高带宽内存（HBM）需求增长的背景下，其意在抢先确保美国国内生产基地，并提升生产能力和供应链竞争力，以应对三星电子和SK海力士主导的全球内存市场。