维度网讯，SK海力士公布了总额57.4万亿韩元的投资计划，重点用于扩充国内半导体生产设施及采购极紫外（EUV）光刻设备。根据该企业向美国证券交易委员会（SEC）提交的证券申报书，投资资金涵盖美国存托凭证（ADR）公募所得，其中45.5万亿韩元用于建设龙仁半导体集群第一期晶圆厂和清州P&T7先进封装工厂，11.9万亿韩元用于确保EUV光刻设备。
龙仁半导体集群第一期晶圆厂（Fab1）计划投入31万亿韩元以扩大前道生产能力，清州P&T7则投入19万亿韩元用于增强HBM先进封装能力。不足的投资部分将通过营业现金流和借款等方式筹措。EUV设备计划于明年底前分批交付。这一战略旨在同时强化前道和后道工艺，以缓解高带宽存储器（HBM）供应链中的瓶颈。
在传统通用DRAM市场中，晶圆生产能力直接决定供应量，但HBM因需要将多个DRAM垂直堆叠并经过硅通孔（TSV）、先进封装及最终检测等多个环节，其生产瓶颈可能出现在从前道到后道的任何部分。随着EUV光刻工艺在HBM和下一代DRAM中占比快速提升，能否确保先进设备已成为影响生产能力的关键变量。业界认为，在AI存储器竞争中，决定HBM供应量与市场竞争力者已非单纯晶圆产量，而是能否均衡确保EUV、TSV、先进封装和检测等各环节工艺。
SK集团会长崔泰源（Chey Tae-won）表示，AI时代存储器产业的竞争方式本身已发生改变。他于当地时间10日在纽约召开的记者座谈会上指出，目前需求增长速度远超供应增加速度，市场不再按过去周期运行。他还预测，人工智能仍处于初级阶段，实现通用人工智能（AGI）还需大量学习，需求爆发式增长的趋势将持续相当长时间。
SK海力士正将龙仁培育为下一代DRAM前道生产基地，将清州培育为HBM先进封装和下一代存储器生产基地，以此提高AI存储器供应链的效率。据公司介绍，清州M15X采用了EUV工艺和先进洁净室自动化技术，已作为未来新晶圆厂的标准蓝图。M15X于今年第一季度开始投入晶圆，后续将逐步扩大产能以满足AI存储器需求。
此次投资中，用于确保EUV光刻设备的11.9万亿韩元占到总投资额20%以上，被视为在先进工艺能力强化上的关键举措。业界分析认为，以ASML当前最新EUV设备价格计算，这笔资金可购置约40台设备。若按计划到位，SK海力士极可能具备全球领先水平的EUV基础设施。投资将分批展开，公司计划今年投入7.9万亿韩元，随后依次于2027年投入12.2万亿韩元、2028年投入9.3万亿韩元、2029年投入8.3万亿韩元、2030年投入7.8万亿韩元。在投资规模最大的2027年，龙仁第一期晶圆厂、清州P&T7建设及EUV设备引进将同步推进。
业界评价认为，AI时代存储器竞争的核心已从扩大产量转向确保先进工艺和封装能力。先发取得EUV设备和先进封装技术者将影响HBM供应量与市场主导权。SK海力士代表理事社长郭鲁正（Kwak Noh-Jung）在ADR上市纪念仪式上表示，HBM已处于人工智能革命核心，SK海力士将在有人工智能的地方发挥作用。他强调，领导力是通过不断证明来完成的。
