维度网讯，日本广岛县东广岛市，美光科技正式启动总额1.5万亿日元（约合93亿美元）的工厂扩建项目，该项目已于当地时间2026年7月4日举行奠基仪式。这是美光针对人工智能时代存储需求爆发进行的核心产能布局，也是日本重振本土半导体产业链的关键项目。日本经济产业省将为该项目提供最高5000亿日元的资金补贴。

广岛工厂拥有超过35年的半导体制造传承，映射了日本存储产业的变迁。该工厂1988年以NEC广岛工厂的身份落地，2003年随日本DRAM产业整合归入尔必达存储器，2013年美光收购破产的尔必达后，正式成为美光存储日本的核心运营主体。美光历史上第一片HBM量产晶圆便诞生于此。厂区周边还聚集了光刻胶、特种电子气体、硅片等上游材料厂商，约八成生产原材料可就近采购，供应链稳定性与工艺配套能力优势突出。

本次扩建的核心技术载体是美光1γ（1-gamma）工艺DRAM，这是当前全球制程最领先的DRAM技术节点。该技术基于美光1α、1β两代工艺的技术积累，首次在DRAM制造中全面应用极紫外光刻技术，搭配新一代HKMG与CMOS工艺方案。相比上一代1β工艺，1γ DRAM功耗降低超过20%，存储密度提升超过30%，位性能实现翻倍，能够适配AI计算、高端消费电子、智能汽车与云端数据中心等多场景的高性能存储需求。除标准DRAM产品外，新产线还将重点布局高带宽内存（HBM）产能，覆盖HBM4、HBM4E等面向AI算力的高端产品。目前美光为英伟达Vera Rubin平台打造的HBM4已进入量产阶段。

根据项目规划，本次扩建将新建一座面积达28000平方米的洁净生产车间，采用分阶段模式推进施工与设备安装。产线预计2028年夏季启动商业出货，2030年实现满产，届时晶圆月产能将达到4万片。日本经济产业大臣赤泽亮正出席奠基仪式时表示，美光是当前日本本土唯一的DRAM制造商，该投资对日本半导体生态具有战略价值。据Counterpoint Research数据，2026年第一季度SK海力士占据全球HBM市场58%的份额，美光市场份额已从2024年底的9%攀升至2025年底的约21%，超越三星升至全球第二。本次广岛工厂扩建，是美光缩小与行业龙头差距、争夺AI存储市场主导权的关键操作。