韩国三星电子推进温阳HBM先进封装工厂扩建
维度网讯,近日,韩国三星电子位于韩国忠清南道牙山市的温阳半导体基地启动先进封装工厂扩建审批程序。新工厂将重点承担面向人工智能数据中心的高带宽存储器封装生产,计划于2026年下半年开工,2029年5月进入量产阶段。
本次进入实施程序的扩建项目投资约1.3万亿韩元,将建设约9400坪、折合约3.1万平方米的大型洁净室,并配置HBM后段制造所需的封装、检测及配套厂务设施。工程完成后,温阳基地总建筑面积将由目前约27万平方米扩大至42万平方米,新增面积约15万平方米。
温阳基地原本是韩国三星电子重要的半导体封装与测试生产节点。此次扩建将进一步提高基地在HBM堆叠、芯片互连、封装和成品测试等环节的承载能力,使其由传统后段生产基地向人工智能存储器先进封装中心延伸。HBM需要将多层DRAM裸片进行垂直堆叠,并通过硅通孔和微凸点实现高速互连,对洁净室环境、封装精度和检测能力提出更高要求。
韩国三星电子正在温阳和天安两地构建下一代HBM生产体系,相关长期投资计划合计约56万亿韩元,其中温阳基地投资规模约46万亿韩元。该数字还包括后续设备扩充、既有产线改造及长期生产能力建设,并不全部属于此次1.3万亿韩元的单体扩建工程。
韩国牙山市已启动项目审批协调机制,在受理工厂扩建变更申请后,提前组织规划、建筑、交通和相关部门开展综合审查,并计划并行推进工厂扩建批准与建筑许可。按照当地公布的建设安排,施工期间现场平均每天将投入约3400名人员;工厂投运后,预计新增约700个直接岗位。
随着厂房审批和前期建设程序推进,项目后续将进入洁净室施工、厂务系统安装、生产设备进场和产线调试阶段。温阳新厂投入运行后,将与韩国三星电子现有存储芯片晶圆制造基地衔接,补充人工智能服务器所需HBM产品的后段封装与交付能力。
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