维度网讯，全球特色工艺晶圆代工企业高塔半导体（Tower Semiconductor）宣布，将在日本经济产业省10亿美元资助支持下，启动一项双轨道战略扩张计划，专注于300毫米（12英寸）硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）和先进封装产能的提升。

根据规划，高塔半导体将投入约30亿美元（约合人民币202.95亿元），全面扩大其在日本的12英寸硅光子、硅锗以及先进光学封装产能，以应对人工智能与数据中心算力需求爆发所带动的高速光互连市场增长。

该扩张计划分两个阶段推进。第一阶段聚焦于大幅增加12英寸硅光子器件产能，预计于2027年第四季度全面投产。该阶段包括对新潟县新井工厂（原Fab 6）进行改造，使其具备12英寸硅光子器件产能和先进封装能力，同时与位于富山县鱼津市的Fab 7工厂形成协同，最大化释放12英寸产能。基于第一阶段增长前景，高塔半导体上调了长期财务目标，计划在2028年实现36亿美元营收和12亿美元净利润。

第二阶段与第一阶段同步启动，内容为在Fab 7工厂旁新建一座12英寸半导体制造厂。待相关协议签署与交割完成后即可正式动工。该工厂投产后，预计将使高塔半导体的硅光子和硅锗产能实现成倍增长，以应对客户在人工智能和数据中心应用中的快速增长需求，并推动下一代光连接技术发展。

高塔半导体表示，通过在日本本土建立先进的硅光子与硅锗制造能力，不仅能增强日本的半导体生态系统和供应链韧性，也将为公司及当地产业创造长期价值。