中国长鑫科技第五代DRAM技术平台正式量产 晶圆产出提升超50%
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。公司披露，该平台将内存阵列有源区半间距缩小至11.95纳米，存储器电容深宽比达到45:1，核心动能区高度降至6762纳米；在存储密度提升后，同等条件下单张晶圆产出较上一代平台提高50%以上。
今年7月，长鑫科技在上市投资者交流会上仍将第五代工艺技术平台列为研发项目，当时披露该平台采用进一步优化的多重曝光技术，主要目标是继续提升存储密度和阵列性能。此次在世界制造业大会宣布正式量产，标志着该平台由研发阶段进入生产阶段。
长鑫科技此前已完成第一代至第四代工艺技术平台的量产，其中第四代平台已用于DDR5、LPDDR5/5X等产品。公司2026年半年度报告显示，第四代工艺平台采用低漏电高性能控制晶体管、多种精细化薄膜沉积以及改进型清洗工艺，并已进入量产阶段；第五代平台则进一步采用优化后的多重曝光技术。
基于第五代平台开发的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，并开始进入国产主流旗舰手机。长鑫科技现有LPDDR5X产品覆盖12GB、16GB和24GB等容量，此前8533Mbps和9600Mbps产品已经实现量产，10667Mbps产品也已启动客户送样。
在移动存储产品端，长鑫科技还在推进更高代际产品量产。公司9月7日宣布，自主研发的LPDDR6已经实现量产商用，首批产品采用16Gb单颗粒、16GB封装容量，峰值传输速率达到12800Mbps，并已搭载于旗舰手机。
长鑫科技2026年半年度报告显示，公司DRAM产品目前覆盖移动设备、服务器和个人电脑等市场，其中LPDDR5/5X已经进入小米、传音等终端品牌供应链，DDR5则主要面向服务器及个人电脑市场。第五代技术平台量产后，公司将进一步在高密度LPDDR5X、LPDDR6及DDR5等产品上推进工艺导入。
