韩国三星拟采用台积电3纳米工艺生产英伟达定制HBM芯片

10月18日，韩国半导体产业消息显示，三星电子拟采用台积电3纳米工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片。英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光统一采用台积电3纳米制程制造基底裸片，并使用第六代10纳米级1c DRAM工艺生产核心存储裸片。三星据称已在内部审议后接受相关要求，双方拟首次在HBM芯片制造环节开展合作。

三星此前采用自主制造模式，由旗下晶圆代工业务生产HBM基底裸片，存储业务负责核心裸片制造。目前，三星HBM4及正在进行量产验证的HBM4E产品均采用自有4纳米工艺制造基底裸片，核心裸片则由华城和平泽工厂的1c DRAM产线生产。根据此次披露的方案，三星将继续在标准HBM以及面向AMD等其他客户的定制产品中保留自主制造模式。

英伟达于8月26日推出NVHBM技术，将定制内存控制器集成至HBM基底裸片。根据其公布的架构设计，相较标准HBM4E，NVHBM单堆栈内存带宽最高可提升30%，HBM功耗降低15%，并可释放最多25%的XPU计算芯片面积。英伟达计划由多家存储供应商提供采用统一架构的NVHBM产品，减少不同厂商产品的适配与验证工作。

三星与台积电此前曾围绕HBM连接图形处理器所需的先进封装工艺开展兼容性合作。此次拟议制造安排将合作延伸至基底裸片生产。韩国半导体产业人士还透露，三星正在验证利用自有2纳米晶圆代工工艺制造NVHBM基底裸片的可行性，以应对未来台积电相关产线可能出现的供应能力限制。