美国格芯与中国台积电签署20亿美元硅中介层制造协议

10月8日，美国半导体制造企业格芯(GlobalFoundries)与台积电(TSMC)签署价值20亿美元的硅中介层制造协议，合作初始期限为5年。格芯将在美国纽约州马耳他镇现有晶圆厂扩充制造产能，为台积电CoWoS先进封装体系供应硅中介层，预计2028年上半年开始提升规模化生产能力。

按照协议，格芯负责硅中介层制造及相关产能建设，新增生产能力将支持多个世代的先进封装产品。马耳他工厂计划扩大硅中介层制造规模，并提供集成深沟槽电容器(DTC)等组件的制造能力。双方还建立了后续产能扩充框架，可根据客户需求逐步增加供应规模。

此次合作涉及的硅中介层主要应用于人工智能处理器和高带宽存储器的先进封装。台积电CoWoS技术通过硅中介层上的高密度互连结构，将处理器、存储器等不同芯片集成在同一封装系统中。格芯生产的硅中介层将进入台积电先进封装供应体系，服务人工智能及高性能计算芯片制造需求。

格芯计划利用马耳他现有半导体制造设施建立美国本土硅中介层供应能力。根据公司公布的建设安排，该设施预计成为美国首个为相关先进封装技术提供硅中介层的制造来源。