三菱电机已准备好交付碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 裸片样品。该公司表示，交付将于 11 月 14 日开始。

裸片采用专有制造技术，包括栅极氧化膜工艺。三菱电机表示，栅极氧化膜工艺有助于抑制功率损耗和导通电阻波动。得益于此，与传统平面元件相比，该元件可将功率损耗降低 50%。此外，该产品采用斜离子注入，可降低开关损耗。

三菱电机表示，基于 MOSFET 的宽带隙元件可应用于电动汽车 (EV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和其他电动汽车的驱动电机逆变器。该公司希望利用该元件促进脱碳、延长行驶里程并提高车辆的能源效率。

该产品将以WF0009Q-1200AA和WF0008Q-0750AA型号发货，符合限制使用某些有害物质(RoHS)指令。