维度网讯，2026年5月6日，由赛迈科先进材料股份有限公司牵头制定，遵循第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)标准制定流程，团体标准T/CASAS 068—2026《碳化硅晶片制造...

维度网讯，来自中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院大学以及中国科学院空间应用技术与工程中心的研究人员，在采用粘结剂喷射3D打印技术制造碳化硅反射镜方面取得新进展。研究提出了一种通过添加石...

维度网讯，韩国三星电子晶圆代工业务部门已正式重启8英寸碳化硅(SiC)功率半导体产线建设准备，目标在2027年建成原型试点线、2028年实现规模化量产。三星近期与材料、零部件及设备合作伙伴就SiC产线...

维度网讯，Coherent Corp.推出碳化硅厚外延新能力支持最高10kV功率器件制造。该公司150毫米与200毫米外延平台已展示超过10kV的器件性能阈值。此项技术突破面向下一代AI数据中心配电架...

近日，美国NoMIS Power公司宣布推出两款中压碳化硅（SiC）MOSFET产品，进一步扩展其在高压半导体市场的布局。这两款新器件包括N3PT035MP330K和N3PT100MP170K，分别针...

美国Wolfspeed公司近日发布了一款10千伏碳化硅（SiC）功率MOSFET，这是该电压等级首款实现商业化的产品，标志着SiC技术在高电压功率转换领域取得重要进展。这款新型器件有望为电网、工业电气...

美国国家可再生能源实验室（NREL）的研究人员近日推出了一款名为ULIS（超低电感智能）的创新功率模块。这款基于碳化硅技术的模块能够显著提升能源转换效率、降低系统成本，并实现了创纪录的功率密度。 在...

维度网讯，近日，全球碳化硅技术领导者沃孚半导体公司(Wolfspeed, Inc.)宣布成功生产出单个300毫米(12英寸)碳化硅(SiC)晶体晶圆，这标志着碳化硅技术演进迈出重要一步，为新兴应用奠定...

电科装备北京烁科中科信研发制造团队连续奋战十余昼夜，成功完成首台碳化硅高能离子注入机的最终调试并顺利发货。该设备针对第三代半导体材料特性定制开发，从仿真设计到整机集成验证仅用不足六个月，突破了高能离子...

据维度网获悉，近日，半导体行业迎来关键进展，Wolfspeed宣布成功生产出300毫米(12英寸)单晶体碳化硅晶圆，成为全球首家实现该技术突破的企业。依托其全球领先的碳化硅知识产权组合(含超2300项...