FAMES半导体中试线近日正式落成，该项目启动两年后，已在先进FD-SOI、射频技术、嵌入式非易失性存储器、3D集成和电源管理IC等多个领域取得了经过验证的技术成果。这些基于300毫米生产线的进展，已在国际重要学术会议上发表，展示了欧洲在半导体技术能力建设方面的实际运作。
超过350名参与者出席了落成仪式，标志着CEA-Leti格勒诺布尔基地洁净室扩建项目正式启动。该中试线具备开放访问特性，主要面向欧洲的初创公司、中小型企业、工业集团及研究机构，为其在工业部署前提供先进半导体技术的原型设计、验证和风险降低支持。该项目由法国原子能和替代能源委员会负责协调。
自投入运行以来，该中试线在衬底材料、嵌入式铁电非易失性存储器、先进FD-SOI、3D集成及高性能射频无源元件等核心领域取得了具体进展。CEA-Leti副主任兼首席技术官让-勒内·勒克佩斯表示：“在FAMES内部开发的突破性技术旨在支持未来的亚10纳米FD-SOI芯片，为欧洲提供高性能和低功耗的组件。将FD-SOI技术推进至10纳米和7纳米节点，预计将在芯片密度、功耗、速度和射频性能方面带来显著提升。”
新设施拥有2000平方米的洁净室空间，使CEA-Leti的总洁净室面积扩展至14000平方米，可容纳超过80台先进的300毫米工艺设备。该建筑采用高性能绝缘设计，并计划实施余热回收系统，以优化能源使用效率。项目总投资8.3亿欧元，资金来自欧盟委员会根据《芯片法案》的拨款及参与成员国的共同出资，汇集了来自八个国家的11个合作伙伴。
CEA-Leti副总裁兼中试线协调员多米尼克·诺盖指出：“成果已在国际层面发布和验证，这凸显了FAMES旨在发挥的作用。它不是一个未来的生产线，而是一个运营平台，先进技术在这里得以成熟、展示，并为向工业界转移做好准备。”该中试线旨在缩短从研究到工业化的周期，同时增强欧洲在汽车、电信、边缘人工智能、工业系统及健康等战略领域的半导体技术自主性。
法国原子能和替代能源委员会总干事安妮-伊莎贝尔·埃蒂安弗尔补充道：“FAMES的落成为欧洲提供了一种独特的能力，以加速战略技术的成熟及其向工业界的转移。这一成功体现了基于科学卓越性和紧密产业合作的‘实验室到工业’模式的有效性。”FAMES中试线通过提供已验证的工艺和直接通向制造的路径，支持欧洲半导体生态系统的持续发展。
