Navitas Semiconductor近期推出了一款针对AI数据中心设计的10 kW DC-DC电源转换平台，该平台适配800 VDC和±400 VDC配电架构，开关频率可达1 MHz，峰值效率为98.5%。其设计旨在优化功率密度，确保大规模数据中心应用中的高转换效率。

这款DC-DC平台基于全GaN功率级构建，整合了650 V和100 V GaN FET，采用三级半桥拓扑与同步整流技术。在800 V至50 V转换配置下，峰值效率为98.5%，满载效率为98.1%。该方案封装于61 × 116 × 11 mm的全砖式模块中，功率密度达到2.1 kW/in³，展现了紧凑高效的特点。

该平台支持在10 kW功率下实现800 V至50 V和±400 V至50 V的转换，并集成了辅助电源与控制电路，减少了外部组件需求，简化了高压DC AI数据中心基础设施中高功率密度DC-DC模块的系统集成。关于GaN和SiC技术对800 VDC架构影响的详细分析，可参考Navitas发布的技术白皮书。

目前，数据中心客户正通过合作开发计划评估这款DC-DC平台。Navitas计划在3月22日至26日于德克萨斯州圣安东尼奥举行的APEC会议上展示该产品。