韩国存储芯片巨头SK海力士与三星电子近日披露，人工智能技术普及正显著提振行业需求。作为英伟达高带宽内存(HBM)核心供应商，SK海力士预计将从AI服务器部署加速中直接获益，其HBM产品已占据全球主要市...

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM近日通过全球功能安全认证机构TÜV SÜD的严格评估，成功获得ISO 26262标准下的汽车安全完整性等级D(ASIL-D)认证。作为车辆功能安全的最高等...

SK海力士在2025年IEDM会议上展示了其最新的5位单元NAND闪存技术，该技术通过将3D NAND单元一分为二，有效提升了位级别，同时将所需电压状态数减少约三分之二，显著提高了速度和耐用性。这一创...

SK海力士已完成对中国无锡工厂的重大技术升级，将原有1z工艺DRAM生产线全面转换为1a工艺，月产能达18万至19万片12英寸晶圆，其中1a工艺占比超九成。此次升级仅耗时两年，在应对美国半导体设备出口...

1月13日，韩国存储芯片巨头SK海力士宣布，将投资19万亿韩元(约合129亿美元)在韩国本土建设一座先进芯片封装厂，以满足人工智能(AI)领域对内存芯片的强劲需求。该厂计划于今年4月动工，预计2027...

韩国SK海力士周三公布创纪录季度利润后宣布，已提前售罄2025年全线芯片产能，并计划大幅增加资本支出以应对人工智能(AI)驱动的芯片超级周期。作为英伟达人工智能芯片核心供应商，该公司指出，客户正加速锁定HBM、DRAM及NAND...

SK海力士股价9月12日大涨逾6%，该公司宣布已完成对人工智能(AI)发展至关重要的下一代高带宽内存HBM4的开发。 这家在首尔上市的芯片制造商股价过去一...

8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用，为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证...

7月8日，东部建设宣布赢得SK海力士清州第四园区配套设施建设合同。 该项目位于忠清北道清州市兴德区清州科技城一般产业园区内，将建设总建筑面积达16,800平方米的辅助设施，总建设成本为725亿韩元。目前，东部建设正在开展...

SK海力士今年有望实现重大投资飞跃。其计划投资超过20万亿韩元(约137亿美元)，用于设施扩建，重点是高带宽存储器(HBM)生产。这对该公司来说是一个历史性的里程碑，因为它从未超过20万亿韩元的投资大关。该公告是在去年年度...