SK海力士已完成对中国无锡工厂的重大技术升级，将原有1z工艺DRAM生产线全面转换为1a工艺，月产能达18万至19万片12英寸晶圆，其中1a工艺占比超九成。此次升级仅耗时两年，在应对美国半导体设备出口...

1月13日，韩国存储芯片巨头SK海力士宣布，将投资19万亿韩元(约合129亿美元)在韩国本土建设一座先进芯片封装厂，以满足人工智能(AI)领域对内存芯片的强劲需求。该厂计划于今年4月动工，预计2027...

韩国SK海力士周三公布创纪录季度利润后宣布，已提前售罄2025年全线芯片产能，并计划大幅增加资本支出以应对人工智能(AI)驱动的芯片超级周期。作为英伟达人工智能芯片核心供应商，该公司指出，客户正加速锁定HBM、DRAM及NAND...

SK海力士股价9月12日大涨逾6%，该公司宣布已完成对人工智能(AI)发展至关重要的下一代高带宽内存HBM4的开发。 这家在首尔上市的芯片制造商股价过去一...

8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用，为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证...

7月8日，东部建设宣布赢得SK海力士清州第四园区配套设施建设合同。 该项目位于忠清北道清州市兴德区清州科技城一般产业园区内，将建设总建筑面积达16,800平方米的辅助设施，总建设成本为725亿韩元。目前，东部建设正在开展...

SK海力士今年有望实现重大投资飞跃。其计划投资超过20万亿韩元(约137亿美元)，用于设施扩建，重点是高带宽存储器(HBM)生产。这对该公司来说是一个历史性的里程碑，因为它从未超过20万亿韩元的投资大关。该公告是在去年年度...

受益于HBM的快速增长，SK海力士在DRAM市场首次超越三星电子。 市场研究机构Counterpoint Research最新数据显示，SK海力士在全球DRAM市场的收入占比达到了36%，超越三星电子的34%，跃居行业首位。 HBM市场表现强劲 分析人士...

SK海力士计划提前两个月在全新 M15X 晶圆厂导入设备，较原定计划提前。消息人士指出，此举主要是因为来自客户(特别是博通)的高频宽存储器(HBM)订单暴增。 韩媒 The Elec 指出，SK 海力士也计划扩大 M15X 晶圆厂的产能，原计...

在 SK 海力士即将公布第四季度业绩之前，另一家韩国内存巨头三星可能再次陷入困境。据 MoneyToday 报道，该公司已将其 10nm 级第六代 (1c) DRAM 的开发再推迟六个月，将目标日期推迟到 2025 年 6 月。 SK海力士或将于2月开...