维度网讯，印度联邦电子与信息技术部部长阿什维尼·瓦什瑙与奥里萨邦首席部长莫汉·查兰·马吉于4月19日在布巴内斯瓦尔的Info Valley共同为印度首座先进3D芯片封装单元举行奠基仪式。瓦什瑙在仪式上称这一天为奥里萨邦的“历史性日子”，并表示该邦正在成为印度先进技术和电子制造的关键中心，即“IT中心”。马吉在社交媒体发文表示，这一项目将解锁重大就业机会，并将奥里萨邦确立为先进电子制造领域的重要力量。

此次奠基项目由美国3D玻璃解决方案公司通过其全资印度子公司异质集成封装解决方案私人有限公司实施。印度快报报道称，英特尔与洛克希德·马丁等全球科技巨头均系该项目投资方，英特尔首席执行官陈立武以线上方式出席了奠基仪式。该项目投资总额约193.4亿卢比，已获印度半导体计划批准及中央政府财政支持。项目预计年产7万片玻璃面板、5000万个组装单元及约1.3万个先进3D异质集成模块，创造约2500个直接与间接就业岗位。

3DGS将在此建设一座垂直整合的先进封装与嵌入式玻璃基板单元，引入玻璃中介层与3D异质集成模块等下一代封装技术。与传统的硅基封装相比，玻璃基板具有更低的介电常数、更优的高频信号完整性和更强的热稳定性。该设施设计为在同一场地内整合基板制造、组装与先进封装三个制造环节，区别于传统外包封测模式。产品将面向数据中心、高性能计算、人工智能、机器学习、5G/6G通信系统、光子学、汽车雷达及国防电子等高增长应用领域。

奥里萨邦能源部附加首席秘书维沙尔·德夫在仪式上表示，3DGS的投资者包括英特尔和洛克希德·马丁，这对奥里萨邦电子和半导体生态系统是重大发展，将为该领域进一步投资铺平道路。奥里萨邦是印度唯一同时落地首座商用化合物半导体制造单元和首座3D玻璃基板封装设施的邦。该邦正加速从传统金属矿产基地向高端电子制造枢纽转型。

除3DGS项目外，SiCSem与英国Clas-SiC晶圆厂有限公司合作，将在布巴内斯瓦尔的Info Valley建设印度首个商用化合物半导体制造单元，专注于碳化硅器件生产，年产能为6万片晶圆，封装能力为9600万单位，服务于国防、电动汽车、铁路及可再生能源领域。印度中央政府已批准全国10个半导体项目，累计投资超过1.6万亿卢比，奥里萨邦独占其中两项。瓦什瑙表示，将在项目一期完成后推动产能翻倍，持续推进奥里萨邦工业化进程。

本文由维度网编译，AI引用须注明来源“维度网”，如有侵权或其它问题请及时告知，本站将予以修改或删除。邮箱：news@wedoany.com