维度网讯，韩国三星电子晶圆代工业务部门已正式重启8英寸碳化硅(SiC)功率半导体产线建设准备，目标在2027年建成原型试点线、2028年实现规模化量产。三星近期与材料、零部件及设备合作伙伴就SiC产线建设展开磋商，部分讨论已深入至设备导入规模。

目前，三星正与供应商共同探索技术获取和商业化路径，目标在今年内启动供应链建设，明年建成用于样品生产的试点线，随后在2028年转入全面量产。

三星对SiC领域的布局可追溯至2023年。当时公司宣布进军氮化镓业务的同时，便将SiC列为未来增长方向之一。核心驱动在于，8英寸硅基晶圆代工需求持续走弱，而碳化硅恰好以8英寸为最新技术标准，从6英寸向8英寸的行业迁移正在加速。将现有低利用率硅产线改造为SiC产线，既可避免新建厂房的高昂成本，又可通过复用部分现有设备提升投资效率。然而受半导体市场低迷及存储器业务竞争压力影响，该项目此后一度陷入实质停滞。随着AI基础设施建设对高效能功率半导体的需求激增，SiC功率器件的应用从电动汽车、充电桩、光伏等传统领域快速扩展至AI数据中心电力管理场景，三星据此重新启动了该项目。

产品路径上，三星计划于2026年第三季度率先量产平面结构SiC MOSFET样品，首款样品面向车规级和工业级应用。未来还将逐步拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管及功率模块等全系列产品矩阵。公司投入约1000亿至2000亿韩元引进先进工艺设备。

三星此举同步呼应韩国国家层面的第三代半导体战略。韩国产业通商资源部此前已宣布成立“下一代功率半导体推进小组”，并发布五年行动计划，核心目标是在2030年前将韩国下一代功率半导体的技术自主率从当前的10%提升至20%。

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