维度网讯，MOSIS 2.0（南加州大学主导的半导体原型设计倡议/生态系统）宣布，将在IMS 2026期间于波士顿举办开发者研讨会，重点展示面向射频与半导体开发社区的半导体原型设计、制造准入、先进封装及IC设计支持。

研讨会定于2026年6月10日12:00至14:00在Thomas M. Menino会议展览中心108室举行。会议将介绍MOSIS 2.0如何通过接入先进研究实验室、半导体代工厂、多项目晶圆（MPW）项目及工程支持资源，加速半导体原型设计。

关键议题之一涵盖通过GlobalFoundries、英特尔、SkyWater Technology、三星电子和台积电等领先半导体代工厂接入先进及传统硅CMOS技术。研讨会还将介绍包括GaN HEMT、InP HBT和InP光子集成电路（PIC）平台在内的化合物半导体技术，以支持射频、微波、光子学及高频器件开发。

MOSIS 2.0将展示与先进半导体封装和异构集成相关的能力。议题包括引线键合、倒装芯片集成、晶圆级凸点、子划片以及针对先进射频和混合信号系统集成的中介层解决方案等组装技术。研讨会还将重点介绍通过大学和小批量制造设施提供的定制分拆晶圆（split-fab）半导体制造能力，以支持专门研究和原型开发需求。

另一重点领域是MOSIS先进原型设计平台（MAPP），该平台旨在支持快速FPGA到ASIC测试及加速硬件验证流程。研讨会还将讨论面向开发者和研究团队提供的IC设计服务与工程支持能力。

在研讨会期间，MOSIS 2.0将公布HRL T3L GaN MPW接入计划的获奖者名单。此外，参会者可在IMS 2026展览期间的24084展位与MOSIS 2.0团队交流。

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