维度网讯，三星电子已经开始向客户提供其即将推出的12层HBM4E（第四代增强型高带宽内存）产品线的样品。该产品在4纳米逻辑芯片上实现的堆叠层数在该领域属于业界首次，标志着下一代高带宽内存（HBM）系列的技术进展。与竞争对手将DRAM产品堆叠在无源中介层上的方案不同，三星的这款前瞻性产品采用薄硅层在内存和GPU之间路由信号。

三星表示，HBM4E旨在满足AI计算和超大规模基础设施的基础内存需求，可提供稳定的14 Gb/s引脚速度，性能可扩展至16 Gb/s，较上一代HBM4提升20%，同时每个堆叠的内存带宽可达3.6 TB/s。这款产品提供48GB容量。这家韩国企业称，与上一代产品相比，改进的封装结构使能效提升16%，热阻特性改善超过14%。

三星表示，自2月份HBM4产品线开始生产以来，公司已收到客户反馈，计划在初始样品出货和优化之后启动HBM4E的量产。三星内存开发执行副总裁兼负责人黄尚俊（Sang Joon Hwang）表示：“在成功量产HBM4之后，三星再次通过HBM4E展示了其独特的技术优势。凭借我们先进的制造能力和先发制人的基础设施投资，我们将继续推动全球AI内存市场的增长。”

三星一直乘着内存需求的浪潮获得创纪录的利润，充分利用AI基础设施构建者对内存组件需求的增长。作为三大内存制造商之一，三星在需求飙升的情况下提高了组件价格，同时预计其HBM销售额在2026年将增长两倍以上。这家韩国公司赢得了为英伟达即将推出的Vera Rubin平台供应HBM4的订单，与竞争对手SK海力士展开了激烈竞争。HBM4E是在GTC 2026上披露的，英伟达的年度展示会恰逢双方签署协议，将在从研发、设计到制造的半导体工程创新方面进行合作。

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