维度网讯，CEA-Leti作为欧洲领先的微电子研究机构，宣布深化与GlobalFoundries的长期合作。GlobalFoundries以最终用户身份参与FAMES试点生产线，将双方在全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术领域超过二十年的合作推向新阶段，旨在巩固欧洲在节能自主半导体领域的地位。该项目由欧盟委员会和参与成员国通过欧洲芯片联合体（Chips JU）资助，FAMES致力于加速下一代FD-SOI的早期研究。

FAMES试点生产线聚焦能效、可持续性和欧洲技术韧性，旨在加快先进半导体技术的早期研发。产业参与被视为确保研发活动符合实际应用需求的关键。CEA-Leti与GlobalFoundries在PD-SOI和FD-SOI技术上合作超过二十年，跨越多个技术代际，这一长期协作推动FD-SOI走向成熟，使其成为在性能、能效与成本之间寻求平衡的应用场景的差异化技术方案。

合作成果之一是基于FD-SOI技术的GlobalFoundries FDX平台，该平台于2018年在德国德累斯顿工厂开发。GlobalFoundries 22FDX工艺在众多工作负载下可提供与14/16nm FinFET节点相当的性能，同时实现更低功耗和固有的抗辐射能力。这些特性适用于移动和消费设备、车用微控制器、卫星通信、边缘AI及新兴计算架构等广泛领域。FD-SOI技术还已应用于空间及其他高可靠性环境，在这些场景中，能效、变异控制与鲁棒性至关重要。

GlobalFoundries作为早期研究最终用户参与FAMES试点生产线，旨在推动FD-SOI性能提升。合作内容包括器件增强的探索性工作，以及下一代衬底创新的协作，这涵盖了FAMES框架内及涉及Soitec的相关项目中开发的应变硅概念。

CEA-Leti首席执行官塞巴斯蒂安·多韦表示，FAMES试点生产线是欧洲强化半导体研究与创新战略的基石，通过联合创新可加速早期FD-SOI研究，同时保持对长期创新、可持续性和欧洲技术主权的关注。除下一代FDX器件外，双方正利用FAMES试点生产线推进更广泛的项目，涵盖面向5G/6G功率放大器的射频设计、可满足边缘AI存内计算的嵌入式非易失性存储器、超低功耗生物医疗可穿戴设备，以及网络安全组件。GlobalFoundries与CEA-Leti认为，FAMES是通向未来FDX代际3D异构集成的自然路径，可进一步巩固FD-SOI作为欧洲自主节能硅基平台的多功能性。GlobalFoundries总经理兼高级副总裁曼弗雷德·霍斯特曼表示，其公司作为FAMES试点生产线的最终用户，反映了对早期FD-SOI研究的兴趣以及对欧洲半导体研究生态系统的支持。FD-SOI被广泛视为欧洲引领的技术，通过研究机构与产业的持续协作构建，而FAMES等举措正持续推动支撑长期竞争力与节能计算的基础技术。

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