维度网讯，SK海力士将把美国存托凭证（ADR）上市筹集的资金集中用于人工智能（AI）内存产能扩张。公司通过ADR上市最多可筹集45.45345万亿韩元，整体投资规模达61.9万亿韩元，重点布局京畿道龙仁半导体集群、忠北清州先进封装工厂，并用于采购极紫外（EUV）光刻设备。ADR筹集的资金将作为部分来源，其余部分由营业活动现金流和借款等自有资金补充。

龙仁半导体集群第一阶段晶圆厂的总投资额为31万亿韩元，其中已执行4.4万亿韩元，计划到2030年追加投资26.6万亿韩元。资金按年度执行，2026年投入7.4万亿韩元，2027年投入10.1万亿韩元，2028年投入6.6万亿韩元，2029年投入2.5万亿韩元。该晶圆厂由2个框架和6个洁净室构成，设计用于生产高带宽内存（HBM）4、下一代HBM、1c纳米级及更高端的DRAM。工厂将采用EUV工艺以增加每片晶圆可生产的芯片数量（Net Die），提升成本竞争力，并增强对全球大型科技客户的供应能力，成为以AI内存为核心的产品组合的重要生产基地。首个洁净室的目标投产时间比原计划提前三个月，定于2027年2月，其余洁净室计划在2030年底前完工。

清州将建设负责HBM后工序的新封装工厂。位于清州科技谷产业园区的P&T7工厂总投资额为19万亿韩元，现有投资约1000亿韩元，后续追加18.9万亿韩元。该工厂已于4月动工，目标是在明年年底完成洁净室建设。P&T7是TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）和芯片堆叠等HBM制造必需的先进封装设施，从用地建设到设备引进均包含在内。该工厂与现有M15 NAND工厂和下一代DRAM生产设施M15X相连，可在同一集群内完成前工序和后工序。SK海力士希望通过这一布局减少晶圆物流时间，提高HBM早期良率。加上京畿利川和美国印第安纳的基地，清州形成封装三轴体系，并承担下一代晶圆级封装（WLP）等新技术的量产任务。

在EUV设备方面，SK海力士将投资11.9万亿韩元用于获取EUV扫描仪，这笔金额相当于69亿欧元的设备合同，将根据个别设备交付时间分期付款，最终交付计划于明年年底完成。SK海力士表示，此次投资不仅是扩大生产设施，还着眼于构建完整的半导体生态系统。龙仁集群未来将形成由4期晶圆厂和50多家材料、零部件、设备合作企业共同入驻的格局。公司长期计划将龙仁集群整体投资规模扩大至约600万亿韩元，构建以HBM和高端DRAM为中心的全球AI内存生产枢纽。包括光州在内的新地方生产基地投资未包含在此次资金使用计划中，公司表示通过ADR筹集的资金将按照证券申报书记载的目的使用，但会根据未来经济和营业环境变化对执行计划进行适当调整。

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