市场调查机构Omdia最新数据显示，2026年全球三大DRAM原厂晶圆总产出预计达1800万片，同比增长约5%，但仍难以满足市场需求。其中，三星电子计划通过平泽工厂产能释放，将DRAM晶圆年产量从759万片提升至793万片，单季平均产量有望首次突破200万片;SK海力士依托清州M15X工厂扩产，产量将从597万片增至648万片;美光则维持2026年360万片产量水平，新增产能预计于2027至2028年释放。

尽管三大厂商启动扩产计划，2026年DRAM总产量仅较上年增加85万片。核心矛盾在于云端AI芯片及数据中心对高性能DRAM需求呈爆发式增长，导致传统PC、智能手机市场供应短缺率超40%。技术瓶颈进一步加剧供应压力，三星10nm第6代DRAM制程转换过程中面临暂时性产能损失，有效产出增幅低于预期。市场分析师指出，当前DRAM供应商对客户需求满足率仅约60%，服务器专用DRAM满足率更低于50%，这种供需失衡直接推高产品价格。

价格走势方面，TrendForce预测2026年第一季度通用DRAM合约价将环比上涨55%至60%，服务器专用DRAM涨幅或突破60%，NAND Flash价格同期上涨33%至38%。即便PC市场终端需求疲软，厂商削减供应配额仍推动PC用DRAM价格在上半年保持陡峭上升趋势，移动端DRAM合约价也将持续急剧上涨。业界认为，全球DRAM供应短缺问题需待三星平泽P4工厂(预计2027年投产)及SK海力士龙仁半导体集群启动后才能缓解，在此之前市场将长期处于紧平衡状态。