在芯片制造的复杂流程中，版图设计(Layout)是将抽象电路构想转化为实体芯片的“建筑蓝图”，它直接决定了芯片性能、功耗、面积及制造成败。版图作为电路设计的物理呈现，工程师需依据逻辑电路图，在计算机上精确绘制出每一层工艺所需的几何图形，涵盖晶体管有源区、栅极、多层金属互连线等，这些图形定义了芯片上所有结构的形状、尺寸与相对位置。而光刻掩模版(Mask)则是版图的物理载体，制造时，版图数据被刻写到带有金属遮光图形的石英板上，光刻机将图形缩小投射到硅片上，完成设计的“印刷”。

版图设计并非随意为之，需严格遵循芯片制造厂制定的“设计规则”，这套规则是保障芯片可制造性、可靠性与良率的“法律”。它规定了图形尺寸、间距、重叠等参数的最小值，确保图形在现有工艺精度下能被清晰刻蚀，避免因线条过细或过密导致生产失败;同时保证金属线宽度、接触孔包围等，防止电迁移与连接失效;并为生产波动预留容差，减少缺陷，提升产出合格率。

随着工艺节点进入5纳米、3纳米乃至更小，版图设计正经历深刻变革：从二维平面转向三维协同，需与FinFET或GAA晶体管等三维结构深度配合;从遵守规则转向制造优化，融入光学邻近效应修正等技术，预判图形失真并协同优化;从手动布局转向AI驱动，利用人工智能自动布局布线，提升设计效率与质量;从单一芯片转向系统集成，扩展至多芯片系统设计，优化Chiplet间高速互连的物理布局。