三星电子近日宣布，已开始大规模生产并交付其HBM4商用产品，这是业界首款商用的HBM4内存。此举标志着三星在HBM4市场早期取得了重要进展。

三星利用其第六代10纳米级DRAM工艺（1c），在生产初期就实现了稳定的良率和性能，无需额外重新设计。三星电子内存开发执行副总裁兼负责人黄相俊表示：“三星采用了最先进的节点，如1c DRAM和4纳米逻辑工艺用于HBM4。通过工艺竞争力和设计优化，我们确保性能余量，满足客户对更高性能的需求。”

三星的HBM4内存提供11.7Gbps的稳定处理速度，比行业标准8Gbps高出约46%，相比前代HBM3E的9.6Gbps提升了1.22倍。性能可进一步提升至13Gbps，有助于缓解AI模型扩大带来的数据瓶颈。

每个堆栈的总内存带宽达到3.3TB/s，相比HBM3E增加了2.7倍。通过12层堆叠技术，HBM4容量范围为24GB到36GB，未来将利用16层堆叠扩展至48GB。

为应对功耗和散热挑战，三星集成了低功耗设计解决方案。与HBM3E相比，HBM4实现了40%的能效提升，热阻提高10%，散热能力增强30%。这使HBM4内存能为数据中心提供高性能和高可靠性，帮助客户最大化GPU吞吐量并管理总拥有成本。

三星通过其制造资源和专用基础设施推进HBM路线图，确保供应链弹性。公司Foundry和Memory业务的设计技术协同优化（DTCO）确保品质和良率，先进封装专业知识缩短生产周期。

三星计划扩大与GPU制造商和超大规模企业的技术合作。公司预计2026年HBM销售额比2025年增长超过三倍，正积极扩大HBM4生产能力。HBM4E样品预计2026年下半年提供，定制HBM样品将于2027年交付。