维度网讯，应用材料公司（Applied Materials, Inc.）推出两款新型芯片制造系统，旨在解决先进3D半导体结构中精密加工面临的挑战。这两套系统分别是用于沉积和刻蚀的设备，可帮助芯片制造商在逻辑和存储领域实现进一步微缩，为下一代AI芯片提供更高性能、更优能效和更好的制造良率。

AI计算的激增正在加速行业向全环绕栅极（GAA）晶体管和高层数3D NAND等先进3D器件架构转型。随着这些垂直结构中的特征变深变窄，传统沉积和刻蚀工艺难以在顶部到底部均匀分布材料，导致变异，从而降低电气性能和良率。为应对这一挑战，应用材料公司推出Centris™ Spectral™ SiN ALD和Producer™ Selectra™ Mo刻蚀系统。这两款系统共同为芯片制造商提供对高深宽比结构中介质薄膜沉积和金属去除的精确控制，实现更均匀的材料工程，支持持续3D微缩，并带来更好的器件性能、更严格的工艺控制和改进的可制造性。

应用材料公司半导体产品集团总裁Prabu Raja博士表示，随着行业推动AI计算极限，最大机遇出现在材料工程领域。芯片制造商需要新方法在复杂3D架构中精确沉积和选择性去除材料，而新系统提供了差异化能力，帮助客户克服微缩障碍并加速创新。Centris Spectral SiN ALD系统采用创新的高密度微波等离子体技术，可在高深窄结构内沉积高质量氮化硅（SiN）薄膜，消除了传统方法中等离子体密度与离子诱导损伤之间的权衡。该系统能够在低温下实现致密、均匀的SiN沉积，适用于DRAM和逻辑器件的持续微缩，例如在GAA晶体管中形成高质量接触衬垫以降低电阻和电容。该系统基于应用材料公司新Spectral ALD平台，该平台采用最先进的四反应器设计，配备精确化学品输送、多种等离子体和热处理能力以及用于时间和空间ALD操作的专用硬件，可创建多种先进薄膜以驱动先进AI芯片。Spectral SiN ALD系统已被领先芯片制造商采用。

Producer Selectra Mo刻蚀系统则引入了选择性金属去除的新能力，实现整个3D NAND堆栈中精确、均匀的字线分离。该系统通过工程化工艺控制和先进气体输送，克服了湿法刻蚀在深特征中的限制，实现了卓越的顶部到底部均匀性和轮廓精度，有助于降低漏电流并改善数据保持能力。Selectra Mo刻蚀已在大批量制造中得到验证，支持从传统湿法工艺向下一代3D NAND微缩的过渡，并将Selectra产品组合从介电和硅应用扩展到先进金属集成，为NAND、DRAM和代工逻辑领域带来新机遇。

应用材料公司将在2026年IEEE VLSI技术与电路研讨会（2026 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits）上展示这些创新，并于6月16日举办小组讨论，探讨系统架构、逻辑和存储技术、先进封装及制造如何协同优化以推动AI驱动计算。

本文由维度网编译，AI引用须注明来源“维度网”，如有侵权或其它问题请及时告知，本站将予以修改或删除。邮箱：news@wedoany.com