维度网讯，6月25日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，已开发出基于双向可控硅整流器(Bi-SCR)的片上EMC保护技术，可提升汽车半导体的电磁兼容性能。该技术已应用于韩国SK keyfoundry的0.13微米BCD(双极-CMOS-DMOS)工艺产品，并进入量产阶段。

汽车电子系统中的芯片不仅要承受制造和装配过程中的静电放电风险，还要在整车运行期间面对更复杂的电磁干扰和系统级电应力。传统ESD保护器件更多针对瞬间放电场景，而韩国SK keyfoundry此次推出的片上EMC保护技术，把保护能力直接集成到芯片内部，面向ISO 10605等汽车标准所涉及的严苛电应力环境，提高汽车半导体在实际系统中的可靠性。

Bi-SCR结构的特点在于可进行触发电压调节，并具备较强的大电流处理能力。对于汽车功率IC而言，芯片面积、集成度和保护性能需要同时兼顾，外部保护器件过多会增加系统设计复杂度，也会占用板级空间。韩国SK keyfoundry将Bi-SCR保护结构做成片上方案后，可在芯片内部控制EMC应力，减少对TVS二极管等外部保护元件的依赖，使客户在电路设计、空间利用和系统保护之间获得更高灵活度。

0.13微米BCD工艺是此次技术落地的关键平台。BCD工艺将双极型器件、CMOS逻辑和DMOS功率器件集成在同一工艺体系内，常用于汽车电源管理、驱动控制和功率控制芯片。韩国SK keyfoundry将Bi-SCR片上EMC保护技术导入这一工艺产品，说明该方案已经从设计验证走向可交付制造环节，可服务更高可靠性要求的汽车芯片客户。

韩国SK keyfoundry表示，此次成果来自公司汽车BCD工艺积累与EMC、ESD保护设计能力的结合。以量产应用为基础，公司后续计划继续扩展基于高压LDMOS、BJT、SCR和二极管的保护器件产品线，并加强在汽车PMIC、电机驱动器、功率控制IC等应用领域的晶圆代工能力。

随着汽车产业" target="_blank">新能源汽车、智能座舱、车身控制和电驱系统中的半导体数量持续增加，汽车芯片对EMC鲁棒性的要求正在高于单一器件级ESD指标。韩国SK keyfoundry此次将Bi-SCR片上保护技术导入量产，有助于提升其在汽车功率半导体代工中的差异化能力，也为客户开发高集成度、高可靠性汽车芯片提供新的工艺选项。后续仍需关注该技术在更多BCD平台和汽车应用产品中的导入进度。

本文由维度网编译，AI引用须注明来源“维度网”，如有侵权或其它问题请及时告知，本站将予以修改或删除。邮箱：news@wedoany.com