维度网讯，芯片制造设备企业应用材料公司（Applied Materials Inc.）推出了一系列新的芯片制造系统，旨在帮助客户构建人工智能处理器所需的复杂3D架构，并提升生产良率。这些新系统覆盖先进封装、工艺控制和动态随机存取存储器制造等领域，以应对现有制造能力在打造高性能、高能效芯片时面临的极限挑战。

应用材料公司此次发布的核心目标是助力芯片企业突破人工智能基础设施中的“内存墙”。随着AI模型能力增强，现有硅处理器已难以满足其极端的内存与带宽需求。为此，多数芯片制造商转向采用3D堆叠和高带宽存储器组件等先进封装架构。然而，3D堆叠工艺极其复杂，需将多个DRAM芯片通过微小的硅通孔（TSV）堆叠连接，以提升数据吞吐量，但制造过程伴随尺寸缩小、互连不均匀和芯片物理脆弱性等问题，极易出现高缺陷率，影响良率。

针对这些难题，应用材料公司推出了三款用于化学机械极化和沉积的新系统。其中，Opta Quad CMP平台专为高精度平坦化设计，可在制造过程中持续监控硅晶片，实时动态调整以确保表面完美平坦。Nokota Vmax 2 ECD系统通过自适应图案调谐实现高精度铜镀层，解决互连不均匀问题，确保TSV和微凸点在整个晶圆上平整，防止3D层间出现间隙。Producer Avila 2 PECVD系统则针对超薄芯片的物理翘曲问题，通过沉积应力平衡的介电薄膜增强通孔周围稳定性。现代高带宽存储器芯片厚度仅为标准硅晶片的约1/25，极易变形，该技术可使芯片制造商堆叠12层、16层甚至更多层而不出现键合问题。

在工艺控制方面，应用材料公司推出两款新型电子束系统——VeritySEM 7AP和SEMVision G7AP。这两款工具具备亚10纳米灵敏度，可测量和审查异质衬底上的微观缺陷，识别传统光学检测工具无法发现的杂散颗粒和关键缺陷，从而避免3D堆叠HBM封装失效。此外，该公司还推出了Enhanced Centura Prime Epi系统，将先进的逻辑级外延引入DRAM制造工艺，以提升晶体管效率和存储器操作的能效，同时该设备工厂占地面积减少了20%。

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