维度网讯，三星电子和SK海力士正在重新评估在下一代高带宽存储器（HBM）中引入混合键合技术的计划，因为该技术固有的厚度减少和散热性能增强这两项核心优势，其必要性正在降低。
据业内消息，下一代HBM全面采用混合键合的时间点可能晚于预期。此前有预测认为，该技术最早可从HBM4（第六代HBM）开始应用，但由于技术难度较高，该预测并未成为现实。目前有预测称，从16层HBM4E（第七代HBM）开始可能采用，预期应用时间已经推迟。目前，三星电子和SK海力士在量产中仍采用热压键合（TC Bonding）技术，其结构是在DRAM层间加入微小凸块（Bump）和底部填充（Underfill）材料，通过热和压力实现连接。
混合键合技术则直接将各DRAM层的铜布线相连，省去了凸块和底部填充材料，有助于减小HBM整体厚度并改善散热特性和电源效率。然而，业界指出，推动混合键合应用的两大动力正在减弱。一方面是HBM厚度标准的放宽：HBM3E的厚度标准为720微米，而HBM4已上调至775微米，这是由于HBM4的DRAM堆叠层数从原有的8层、12层提高到了12层、16层；国际半导体标准化组织（JEDEC）甚至考虑将堆叠20层的下一代HBM（如HBM5）厚度标准从900微米放宽至1000微米水平。另一方面，英伟达等核心客户对高堆叠层数HBM的需求有所推迟，有存储器厂商人士指出，16层HBM尚未与客户展开积极讨论，HBM4E的12层产品很可能仍将是主力。
为替代混合键合在散热方面的优势，三星电子和SK海力士正在探索其他方案。三星电子提出了Heat Path Block（HPB），SK海力士则推出了iHBM（ICE HBM）概念，两者均在HBM核心芯片旁边设置一个专门用于释放热量的元件。封装行业人士表示，该技术在实施和布置上难度不高，商业化前景明确，对存储器企业而言是一种稳定的选择。两家公司都在测试将该技术应用于HBM5。
尽管混合键合的应用时间可能推迟，但三星电子和SK海力士对该技术的研发仍在继续。从长期看，HBM内部I/O（输入/输出端子）数量和密度的提升将使混合键合技术成为必需。HBM4的I/O数量已较上一代HBM3E翻倍至2048个，TC键合因凸块熔化后向侧向扩散，难以支撑进一步增加的I/O密度。封装行业人士指出，若HBM5E的I/O数量再次翻倍至4096个，届时I/O间距将极窄，混合键合技术的采用将势在必行。
