维度网讯，7月13日，德国博世宣布，其位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的碳化硅半导体工厂已经启动样品生产。该项目计划投入最高20亿美元，对原有晶圆厂进行系统性改造，建设新的洁净室空间和碳化硅芯片制造产线。工厂计划于2026年内在200毫米晶圆上生产首批商业化碳化硅芯片，实现从样品制造向批量生产过渡。

罗斯维尔工厂原有超过40年的半导体生产基础，德国博世于2023年8月完成工厂收购后，随即启动生产体系改造。工程并非简单更换部分制造设备，而是将原有硅基半导体设施转换为能够生产和测试碳化硅功率器件的专业晶圆厂，改造范围覆盖洁净环境、晶圆加工设备、生产控制系统、检测设施及后道处理环节。

目前，工厂已形成约13万平方英尺的洁净室空间，并安装面向200毫米碳化硅晶圆生产的先进制造设备。厂内配置在线计量和过程控制系统，可在晶圆加工过程中持续监测关键参数，并根据检测结果及时调整工艺;同时具备晶圆分选、最终测试以及质量验证能力，使前端晶圆制造和后端测试、分选、切割等环节能够在同一工厂内衔接。

样品生产启动表明，罗斯维尔工厂的部分生产设施已经完成安装和初步调试，项目正在由厂房与设备改造阶段转入工艺验证阶段。现阶段生产的样品将用于检验晶圆加工流程、设备稳定性、产品性能和制造一致性，并为后续提高良率和扩大产量提供基础。正式量产前，工厂仍需完成生产设备连续运行验证、工艺参数优化、产品可靠性测试及客户认证。这里属于根据半导体生产流程对项目阶段作出的判断。

罗斯维尔工厂将采用德国博世的碳化硅技术，在200毫米晶圆上生产功率半导体。与较小尺寸晶圆相比，200毫米晶圆单片可承载更多芯片，有利于提高设备利用率和单位批次产出。相关产品主要用于电动汽车逆变器、充电转换装置及其他高压电力转换系统，未来还可进入工业能源、通信设备和数据中心供电系统。

碳化硅器件能够在高电压、高温和高开关频率条件下运行，并减少电力转换过程中的能量损耗。在数据中心和人工智能算力设施中，这类器件可用于服务器电源、储能设备和其他高功率转换环节，帮助降低转换损耗、发热量及部分冷却负荷。德国博世还计划在罗斯维尔工厂后续生产第三代碳化硅芯片，但具体导入时间及新增设备安排尚未公布。

按照现有计划，罗斯维尔工厂将在2026年内启动商业化生产。下一阶段的主要工程节点将包括样品验证、制造设备联调、工艺良率提升、商业产品认证及产线爬坡。项目全部投入运行后，该工厂将成为德国博世在美国的首座半导体制造基地，并承担碳化硅晶圆前端加工以及测试、分选和切割等生产任务。