维度网讯，三星电子正在将4纳米超低功耗工艺应用于高带宽存储器（HBM）4的基础芯片（base die），以降低功耗并提升数据处理性能，这一技术正成为满足HBM和人工智能推理芯片需求扩大的核心基础。代工事业部技术开发室项目负责人崔正民（Choi Jeong-min）因在4纳米超低功耗半导体工艺开发方面的成果，于今年3月获得“大韩民国工程师奖”。

崔正民主导开发了通过降低三维结构晶体管FinFET的高度和器件内部接触宽度来降低电容的技术，从而在降低功耗的同时提升了半导体性能。

崔正民表示，率先引入4纳米超低功耗工艺技术，为HBM4基础芯片（base die）的开发和量产做出了贡献。HBM基础芯片是连接多层堆叠的DRAM与图形处理器、AI加速器，并管理数据、电源和控制信号的芯片，被认为是决定HBM性能的关键部件，直接影响数据处理速度和能效。三星电子通过自主代工的4纳米工艺生产HBM4基础芯片，整合了存储器、代工和封装能力。随着HBM市场扩大，生产基础芯片的先进代工工艺的重要性也将增加。

业界观测认为，基于HBM4和AI推理用半导体需求，三星电子4纳米工艺的产能利用率正在快速恢复。在代工领域，产线利用率直接关联盈利能力，因此4纳米需求扩大能否带动业绩改善备受关注。随着AI市场重心从训练转向推理，全球大型科技公司对定制化AI半导体的需求也在增加。相应地，三星电子不仅提供先进工艺，还同时提供存储器、设计和封装的一体化半导体能力预计将更加突出。崔正民表示，引领AI时代的核心在于半导体工艺技术，并认为这一技术有助于提升韩国AI竞争力、创造更美好的未来。