美国加州大学研究团队近日在《光波技术杂志》发表成果，成功将砷化铟量子点激光器单片集成于硅光子芯片上，为光子集成电路(PIC)的规模化应用提供新方案。该技术通过优化材料生长与光耦合设计，显著降低激光器与硅波导间的光功率损耗，提升了集成效率。

研究负责人Rosalyn Koscica博士表示：“光子集成电路需要更紧凑的片上光源以实现高密度集成。”团队采用两步材料生长方案，结合聚合物间隙填充技术，在硅衬底上直接制备量子点激光器。测试显示，集成器件在O波段波长下工作稳定，耦合损耗较低，35°C环境下寿命可达6.2年。这一进展为硅光子芯片的大规模制造提供了可行性。

硅光子芯片的激光集成技术优势在于兼容现有半导体代工流程，且适配多种光子器件设计。Koscica博士指出：“该技术无需复杂调整即可应用于不同光子集成电路。”未来，通过进一步优化硅光子元件结构，该方案有望推动高性能、低成本片上光源的普及。