维度网讯，英特尔代工厂研究团队在2025年IEEE国际电子器件会议上展示了基于300毫米硅基氮化镓晶圆的首创氮化镓小芯片技术。该技术将氮化镓功率晶体管与硅基数字控制电路集成于同一小芯片，基底硅厚度仅19微米，约为人类头发直径的五分之一。该成果已收录于会议论文《基于300毫米硅基氮化镓的氮化镓小芯片技术》。

据英特尔代工厂会议论文披露，该技术采用研磨前隐形切割工艺在完全处理的300毫米晶圆上实现超薄减薄，减薄后晶体管电气特性未受影响。栅极长度30纳米的氮化镓晶体管表现出78伏电压阻断能力，射频截止频率超过300 GHz。在同一小芯片上，通过层转移工艺并排构建了氮化镓N-MOSHEMT功率晶体管与硅PMOS逻辑晶体管，使用相同布线层连接，构成反相器、与非门、多路复用器、触发器和环形振荡器等完整数字电路模块。环形振荡器测量结果显示，每个反相器切换时间仅33皮秒，且性能在整片300毫米晶圆上保持均匀。

该技术经过四项行业标准可靠性测试验证，包括时间依赖性介电击穿、正偏压温度不稳定性、高温反向偏压和热载流子注入。测试结果表明，300毫米氮化镓MOSHEMT技术满足实际产品可靠性指标要求。英特尔代工厂指出，氮化镓晶体管切换速度更快且能量损耗更低，适用于数据中心负载点供电、无线基础设施射频前端、雷达系统及卫星通信等领域。氮化镓在超过200 GHz频率下的高效运行能力适配厘米波与毫米波频段。

与硅基技术相比，氮化镓提供更高功率密度，允许系统在更小尺寸内实现更强功能。氮化镓更宽的带隙支持在更高结温下稳定运行，减少开关功率损耗并降低冷却系统尺寸与成本。英特尔代工厂采用标准300毫米硅晶圆进行氮化镓生产，与现有硅制造基础设施兼容，有望减少大规模量产所需的新增投资。

本文由维度网编译，AI引用须注明来源“维度网”，如有侵权或其它问题请及时告之，本站将予以修改或删除。邮箱：news@wedoany.com