维度网讯，6月11日消息，韩国存储芯片企业SK海力士已完成375层3D NAND闪存量产验证，正准备将相关技术转移至清州M15工厂现有生产线，预计年内启动量产。该产品被视为SK海力士继321层V9 NAND之后的下一代V10 NAND，将进一步提升NAND闪存堆叠密度和存储容量。

375层堆叠意味着NAND制造继续向超高层结构推进。3D NAND通过垂直堆叠存储单元提升单位面积容量，但层数越高，字线结构、沟道刻蚀、沉积均匀性、信号延迟和良率控制难度都会同步增加。SK海力士此前已实现321层NAND量产，进入375层后，工艺挑战不再只是继续增加层数，而是要在高密度结构中维持读写速度、擦除性能和长期可靠性。此次完成量产验证，说明相关工艺已经具备从研发验证走向既有产线导入的条件。

材料变化是这代产品的关键突破。SK海力士在375层产品中以钼部分替代此前使用的钨，作为字线金属栅极材料。钼在细微字线结构中的电阻低于钨，有助于提升信号传输速度，并改善读写和擦除性能;同时，钼沉积前不再需要额外铺设阻挡衬层，可为更高密度堆叠留下更多工艺空间。对于超高层3D NAND来说，字线材料的电阻、填充能力和沉积复杂度，会直接影响芯片性能和量产效率。

这项进展也会影响存储产业竞争节奏。AI服务器、企业级SSD、消费电子和边缘设备都在持续推高存储容量需求，NAND厂商需要在成本、容量、速度和功耗之间重新平衡。更高层数的3D NAND有助于提高单颗芯片容量，降低单位比特成本，并为大容量SSD提供基础。若375层产品顺利量产，SK海力士将在高层堆叠NAND竞争中继续追赶三星、美光和铠侠等厂商，也会带动刻蚀设备、沉积设备、前驱体材料、检测设备和先进封装等产业链环节升级。

后续节点将集中在清州M15产线技术转移进度、年内量产启动时间、375层产品良率表现，以及该产品率先进入消费级SSD还是企业级存储市场。随着AI数据中心和高容量终端继续拉动存储需求，NAND竞争将从层数提升延伸到材料体系、制造成本和产品导入速度。SK海力士引入钼材料攻克超高层堆叠难题，说明存储芯片制造正在进入“结构提升+材料替换”同步推进的新阶段。

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