维度网讯，在德国纽伦堡举办的2026年欧洲PCIM展上，英飞凌、三菱电机、Wolfspeed、安森美等多家电力电子企业发布了最新一代宽禁带半导体功率模块和解决方案，重点聚焦提升电动汽车与可再生能源系统的效率。
英飞凌科技（Infineon Technologies）为其纯电动汽车牵引逆变器推出了EiceDRIVER栅极驱动器。该系列中的EiceDRIVER 1EDI3040AS和1EDI3041AS可同时支持IGBT和SiC MOSFET，集成在单个栅极驱动IC中。其具备实时栅极电流调节功能，能在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得平衡，通过精确控制开关转换过程降低开通和关断能量损耗。同时，该IC可管理关断电流变化率，以钳制由杂散电感引起的破坏性电压尖峰，从而省去笨重的外部缓冲电路。
三菱电机（Mitsubishi Electric）与赛米控丹佛斯（Semikron Danfoss）联合开发了一款采用集成三电平T型电路拓扑的标准化功率模块封装。该封装融合了三菱电机的LV100布局与赛米控丹佛斯的SEMITRANS20几何结构，实现了物理产品兼容性，使制造商能够统一并标准化物理逆变器架构。该三电平电路拓扑将直流电在三个不同电位电平间切换，输出波形更接近纯正弦波，从而提升转换效率、降低功率损耗，并减小外围滤波与控制组件的尺寸。
弗劳恩霍夫应用固态物理研究所（Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF）展示了一款用于电动汽车的紧凑型双向单相直流充电转换器，采用单片1200 V GaN功率器件。该系统以140 kHz的高开关频率运行，使无源滤波组件体积最小化，完整演示器（含插头）尺寸为8.3升，重量为5.7千克。该架构直接在1200 V GaN芯片上集成了续流二极管，消除了标准外部反并联二极管并限制了杂散环路电感。这款3 kW非车载充电器开发自GaN4EmoBiL项目，旨在填补800 V双向拓扑的空白，可处理150 V至920 V的宽范围电池电压。
Wolfspeed推出了适用于1200 V和750 V汽车及工业应用的第五代碳化硅（SiC）MOSFET技术。与当前商用1200 V替代品相比，其比导通电阻（RSP）降低了27%。在175°C条件下，1200 V节点（QEM50120-25D10）的芯片级RSP为3.4 mΩ-cm²，750 V节点（QEM50075-025D10）的芯片级RSP为2.0 mΩ-cm²。该技术将两个电压节点的RDS(ON)分布限制在±18%的范围内。
宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion，EPC）宣布其EPC2378 25 V eGaN功率晶体管开始量产，该器件针对48 V-5 V或12 V LLC转换器次级侧的同步整流应用进行了优化。该器件具有410 µΩ的典型RDSon以及低栅极电荷优值，可处理高达101 A的连续漏极电流，采用3.3 mm x 3.3 mm PQFN封装，并配备背面散热焊盘以增强散热性能。为加速系统评估，EPC还发布了配套的EPC90185开发板。
安森美（Onsemi）推出了GaNEXUS GaN功率组合，最初提供涵盖40 V至650 V击穿电压范围的离散元件样品。该系列包括650 V GaNEXUS Smart器件，集成了保护电路以简化布局。该组合针对AI数据中心基础设施和工业电源架构设计，根据电路拓扑，效率可提升0.5%至2%，体积功率密度可提升1.5倍至2倍。高开关速度能使磁性元件尺寸减小30%至60%。这些元件采用TOLL、TOLT和双冷却封装，可与安森美的Treo控制平台接口。
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