维度网讯，6月18日，韩国SK海力士宣布已向主要客户供应12层堆叠HBM4E样品。该产品是面向人工智能应用的下一代超高性能DRAM，属于高带宽存储器升级产品，主要用于AI加速芯片和大规模数据中心计算场景。

HBM4E是HBM4之后的增强型产品，面向更高数据吞吐、更低功耗和更强散热需求开发。SK海力士此次供应的12层样品，在单颗堆叠中通过多层DRAM垂直封装提高存储密度，目标是满足生成式人工智能、大模型训练和高性能计算对高带宽存储的需求。

从性能参数看，12层HBM4E样品的数据处理速度最高可达每针16Gbps。与此前产品相比，该产品能效提升20%以上，有助于降低AI服务器在高负载运行中的功耗压力。对于AI数据中心而言，高带宽存储器的性能不仅影响芯片数据交换速度，也直接关系到整机能效、散热设计和系统部署成本。

SK海力士还在封装工艺上继续使用并强化MR-MUF相关技术。该工艺通过在堆叠芯片之间填充保护材料，提高多层芯片结构稳定性，并改善散热表现。韩文当前新闻信息显示，该产品热阻较HBM4降低约17%，这对12层高密度堆叠产品的稳定运行具有重要意义。

本次样品供应意味着HBM4E进入客户验证阶段。对于AI存储器而言，样品交付只是量产前的重要一步，后续还需要经过客户测试、性能调优、平台适配和批量供应准备。SK海力士未披露具体客户名单，但其HBM产品长期面向AI芯片和数据中心客户，客户验证进度将直接影响后续量产节奏。

HBM市场竞争正在加速。三星电子已在5月底宣布向全球主要客户供应12层HBM4E样品，美光也在推进下一代高带宽存储器产品布局。SK海力士此次启动12层HBM4E样品供应，将使韩国两大存储企业在下一代AI存储器客户认证和量产窗口上的竞争进一步前移。

后续需要关注的是，SK海力士能否按客户验证节奏完成性能优化，并在2027年前后推动HBM4E进入规模化供应。随着AI服务器对带宽、容量、功耗和散热要求持续提高，12层HBM4E的量产进展将成为判断下一代AI存储器供给格局的重要节点。

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