三星电子公司近日宣布，计划通过加强其在高带宽内存(HBM)芯片市场的地位，以回应股东对其在人工智能领域表现不佳的批评。芯片业务负责人全永铉表示，三星计划最早在今年第二季度供应增强型12层HBM3E芯片，并计划在下半年推出尖端的HBM4芯片。全永铉在三星年度股东大会后被正式任命为联席首席执行官。

全永铉承认，三星未能在HBM市场取得早期领先地位，导致其落后于竞争对手SK海力士。他强调，三星不会在下一代HBM4和定制芯片上重蹈覆辙。HBM4内存预计将集成到Nvidia即将推出的Rubin GPU架构中。SK海力士已宣布向主要客户交付全球首批12层HBM4样品，并积极争取成为Nvidia的主要供应商。

为追赶SK海力士，三星决定修改HBM3E芯片的设计，以获得Nvidia的批准。Nvidia首席执行官黄仁勋在今年的CES大会上表示，三星需要重新设计芯片，但他对三星的能力表示信心，称其“工作迅速且非常专注”。

全永铉还预测，未来几个季度内存市场将在强劲的人工智能和移动需求推动下复苏，这将有助于提升三星下半年的盈利表现。HBM芯片在高性能计算任务中至关重要，为内存制造商提供了参与人工智能训练和开发支出的高利润机会。与其他类型的内存相比，HBM的生产难度使其利润丰厚，且不易受到供需波动的影响。