韩国三星电子下月启动HBM4生产,SK海力士同步扩产
2026-06-27 11:23
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维度网讯,三星电子(Samsung Electronics)最快将于下月开始制造下一代高带宽内存(HBM),其早期供货目标据称指向英伟达(Nvidia)。随着AI模型规模持续扩大、计算密度不断提高,整个数据中心生态系统面临的内存瓶颈问题日益突出,这使得这一时间节点的选择显得尤为关键。

该进展与韩国半导体行业的整体产能扩张趋势相契合。据彭博社(Bloomberg)近期报道,三星电子和SK海力士(SK Hynix)一直在筹备大幅增加与AI相关的投资,重点是围绕支持GPU和AI加速器的产能建设。市场估值已有相应体现,2026年初两家公司合计市值达约1.14万亿美元,超过了阿里巴巴和腾讯。

HBM4的生产直接与英伟达和超威半导体(Advanced Micro Devices, AMD)的新兴需求挂钩。据韩国经济日报(Korea Economic Daily)报道,三星已通过这两家公司的资格测试,但具体的出货量和合同条款尚未披露。成功通过资格测试对三星意义重大——此前因生产延迟拖累财务业绩后,下月向英伟达发货表明公司正在恢复势头。

高带宽内存(HBM)已成为高性能AI加速器的关键组件。若内存与计算之间的带宽不足,模型训练时间将增加,推理性能也会受限。全球AI半导体支出预期激增反映了这一现实。到2027年,预计超过50%的DRAM位需求将来自数据中心和AI应用,这使得HBM供货的竞争与GPU路线图更新一样,成为AI战略的核心部分。

SK海力士仍是英伟达AI处理器HBM的最大供应商,并于近期完成了明年的供货谈判。尽管其市场地位多年保持强劲,但AI驱动的需求加剧了竞争。该公司计划下月开始在其清州新M15X晶圆厂部署硅片。尚不清楚HBM4是否被纳入初期产出,这引发了分析师的猜测——英伟达即将推出的Vera Rubin平台预计将依赖HBM4。

尽管SK海力士在具体的HBM4时间表上披露的信息较少,但公司强调聚焦于产能扩张。多个工厂的快速扩建与强劲的需求预测一致。全球AI基础设施支出预计到2030年复合年增长率超过27%。若该预测成立,所有主要内存供应商均需持续增加产量。

互连标准同样决定了内存硬件的性能上限。PCI Express和Compute Express Link正变得对AI内存架构愈发重要,尤其是在异构计算模型日益普及的背景下。虽然新标准的采用通常遵循可预测的节奏,但这些标准对于实现长期内存解耦及提高加速器使用效率具有深远意义。

通过英伟达和AMD的资格测试是一个严格的过程,其结果会影响跨年合同的授予。高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)及其他加速器开发商密切关注这些进展,因为每一次成功的测试都扩大了潜在买家基础,并标志着制造成熟度的提升。这表明三星正在SK海力士近年来表现优异的领域重新证明自身。

生成式AI工作负载的快速扩张,使得每一代新模型对内存的需求稳步攀升。内存供应商面临的主要挑战是:在克服热约束和架构限制的同时,能以多快的速度让合格产能上线。

彭博社近期分析指出,内存制造商既有机遇也有挑战。当Vera Rubin等新平台进入生产周期时,它们会受益于需求的激增;但同时也面临资格认证延迟或良率问题等运营风险。三星和SK海力士都经历过这些周期,但鉴于AI正从原型部署走向全球规模化,当前的风险更高。

三星计划生产HBM4标志着这一行业转型中的具体里程碑,同时SK海力士也在扩大产能。这些举措共同说明:为何韩国仍是全球AI硬件格局的核心区域,以及为何超大规模企业及企业买家在扩大AI布局时,将密切关注未来几个季度的发展。

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