近日，德国半导体企业Neumonda宣布与铁电存储器公司(FMC)达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片(FeRAM)生产线。

双方此次合作的核心是FMC研发的“DRAM+”技术。据媒体报道，该技术突破了传统FeRAM的存储限制，通过采用10nm以下制程兼容的铪氧化物(HfO2)作为铁电层，替代传统锆钛酸铅PZT材料，存储容量从传统FeRAM的4-8MB提升至Gb-GB级别，同时保持断电不丢失数据的特性。

根据协议，FMC将打造出适用于人工智能、医疗、工业、汽车和消费电子应用的非易失性DRAM存储器，而拥有多项DRAM存储器设计和测试专利的Neumonda将为FMC提供存储器咨询服务，并为其非易失性DRAM+产品提供Rhinoe、Octopus和Raptor测试平台。

据悉，这是欧洲继2009年英飞凌与奇梦达的德国DRAM工厂破产关停后，首次尝试重启存储器本土化生产。

FMC首席执行官Thomas Rueckes表示：“铪氧化物的铁电效应将DRAM电容转变为非易失性存储单元，在保持高性能的同时实现低功耗，特别适合AI运算的持久内存需求。”Neumonda首席执行官Peter Poechmueller则指出：“我们的终极目标是重建德国的存储芯片产业，本次合作迈出了关键一步。”