美国特斯拉AI5芯片四月中旬在三星流片,采用2纳米制程
维度网讯,三星代工厂即将为特斯拉生产AI5芯片,该芯片已成功流片。三星代工厂首席工程师James Kim在领英帖子中透露,特斯拉与三星合作的AI5芯片采用三星最新的2纳米级制程技术制造,计划在泰勒工厂投入量产,并将很快集成到特斯拉的新产品中。
埃隆·马斯克四月中旬展示了特斯拉AI5的第一个样品,并说明该处理器将同时在台积电和三星代工厂生产。采用台积电制程技术的AI5比三星代工厂版本的AI5早几个月流片。

马斯克展示的AI5处理器模块集成了一个加速器芯片,尺寸大约相当于半个掩模版,并配有12个SK海力士内存封装,这些封装似乎是标准的GDDR6或GDDR7器件。该模块采用有机基板,内存组件标签与常规分立式DRAM芯片类似。
特斯拉尚未公布AI5内存子系统的位宽,但12个内存封装的存在表明外部内存接口较宽。假设该模块使用12个GDDR6或GDDR7集成电路,处理器将具有384位内存总线。根据所采用的内存技术和传输速率,内存带宽可达到768 GB/s到1.536 TB/s。
特斯拉未披露AI5的峰值计算性能等详细规格,但马斯克曾声称,在某些工作负载下,AI5性能提升可达前代的40倍。马斯克预计AI5将成为有史以来产量最大的芯片之一,因此计划使用两家代工厂生产。AI5将用于特斯拉汽车、特斯拉机器人以及特斯拉数据中心。
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