维度网讯，7月15日，韩国三星电子计划在韩国京畿道龙仁市器兴半导体园区新建一座DRAM晶圆制造工厂。该厂规划月产能约10万片晶圆，投资规模预计达到数十万亿韩元，最快可能于2026年第三季度启动施工。目前披露的信息仍属于建厂计划，具体投资额、工艺路线及投产时间尚待韩国三星电子进一步确认。

按照月产10万片晶圆的规划简单折算，这座半导体工厂满产后的年晶圆投入能力约为120万片。新增产能将使器兴园区重新承担更大规模的DRAM生产任务，并扩大韩国三星电子面向人工智能服务器、数据中心及消费电子市场的存储芯片供应能力。不过，现有报道尚未公布新厂将采用哪一代制程，也没有说明全部产能是否用于高带宽存储器，因此不能直接将其认定为专门生产HBM的晶圆制造产线。

拟建半导体工厂所在区域原计划用于扩充研发设施。随着人工智能基础设施投资增加，服务器用DRAM和高带宽存储器需求上升，韩国三星电子据悉决定调整部分土地用途，将原有研发设施规划转为大规模生产设施。为满足晶圆制造需要，公司还可能拆除器兴园区内的部分既有建筑，为厂房辅助设施、动力系统和生产配套工程释放空间。

此次拟建的DRAM工厂与器兴园区现有NRD-K半导体研发中心并非同一项目。NRD-K占地约10.9万平方米，韩国三星电子计划到2030年投入约20万亿韩元，研发专用生产线原定于2025年年中开始运行，主要承担下一代存储芯片、系统半导体和晶圆制造工艺研发。新厂则定位于扩大商业化生产能力，重点在于形成月产约10万片晶圆的规模化供应。

韩国三星电子近期还在推进其他存储芯片产能项目。公司正在平泽园区扩充先进DRAM生产线，并计划将龙仁半导体集群首座晶圆厂的运营时间提前至2029年。器兴新厂若按计划开工，将与平泽、龙仁等生产基地共同组成韩国三星电子的新一轮晶圆制造扩产布局。

由于项目尚未进入施工阶段，后续需要继续关注韩国三星电子是否正式批准投资，以及厂房建设、洁净室、超纯水、特种气体、供配电、废气处理和晶圆制造设备的采购安排。只有在投资方案和开工时间正式确定后，月产10万片晶圆的新增生产能力才会进入实际落地阶段。