维度网讯，国产功率半导体厂商江苏宏微科技股份有限公司于2026年5月8日发布投资者关系活动记录表公告，公司自主研发的NCBSiC模块已通过海外主流AI服务器厂商整机认证并实现小批量供货，正式切入高端算力电源供应链。公司已于4月1日起对部分非核心产品实施调价，平均涨幅约10%，目前大部分客户接受度良好。

进入算力电源核心供应链之前，宏微科技在碳化硅领域已铺垫数年。2024年，公司车规级1200V SiC MOSFET芯片研制成功，银烧结工艺通过可靠性验证，1200V SiC SBD芯片通过多家终端客户系统级验证。同年12月，子公司常州芯动能第100万只车规级电驱双面散热塑封模块下线，换流回路寄生电感降至6至8nH，热阻较传统方案降低约30%。公司三电平SiC混合模块同步向UPS领域批量供货。

NCBSiC模块切入AI服务器电源供应链的背后，是AI服务器机柜功率密度持续攀升对功率半导体提出的更高要求。单机柜功耗从传统服务器的数千瓦推高至30至50千瓦甚至更高，传统硅基功率器件在高压、高频、高温场景下的效率瓶颈日益突出。碳化硅凭借更高的击穿场强、更低的开关损耗和更好的热导率，正在AI服务器电源的PFC和LLC等核心拓扑中加速替代硅基IGBT和MOSFET。公司早前推出的GVE系列三相六单元拓扑模块基于M7i+芯片技术，在高负载工况下总损耗较上一代降低约15%，最高工作结温延伸至185℃，为后续SiC模块的工程化积累了工艺数据。

高压SST产品线与氮化镓器件是宏微科技面向AI数据中心供电架构演进的另两条并行推进路线。公司现有1700V GWB模块可适配固态变压器，技术团队正持续推进SiC及GaN器件的研发与产业化，高压SST产品及GaN产品目前正与国内外行业头部厂商联合研发和送样。子公司宏微爱赛650V GaN HEMT芯片已研发成功。面向即将在2027年规模化部署的英伟达800V HVDC架构，公司已规划推出适配该系统的GaN器件产品。

公司同步在北京怀柔实验室推进SiC技术成果转化合作，集中资源攻克高压大电流SiC芯片技术。2025年全年，宏微科技实现营业收入13.48亿元，同比增长1.23%，归属于上市公司股东的净利润1711.49万元，同比扭亏为盈。工控业务营收占比约50%，新能源发电与汽车产业" target="_blank">新能源汽车各占约25%。功率模块贡献10.34亿元营收，占总额约76.7%，仍是公司支柱产品线。

此次NCBSiC模块小批量交付后，市场焦点将转移至后续批量供货的爬坡速度和良率稳定性，以及高压SST与GaN产品从联合研发转向订单落地的实际节奏。电源管理芯片和功率器件是AI算力基础设施中相对隐蔽但一旦发生故障会导致整柜宕机的关键环节，头部AI服务器厂商对供应商导入设置了较高的可靠性门槛和长周期的验证流程。宏微科技通过这一认证，意味着其产品已进入该封闭供应链的第一道关卡，但后续量产订单的规模释放仍需经受交付一致性和长期可靠性的持续考验。

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