维度网讯，美国议员提出新法案，旨在为近地轨道半导体制造铺平道路，以应对太空芯片制造领域日益激烈的国际竞争。该法案试图明确《芯片与科学法案》中关于在近地轨道制造芯片的条款，从而刺激国内投资并维持美国的技术领先地位。

根据该法案众议院版本的牵头人、华盛顿州民主党众议员苏珊·德尔贝内（Suzan DelBene）提供的情况说明书，美国首次在近地轨道生长半导体晶体可追溯至1973年的天空实验室任务。二十多年后，中国于1996年通过可回收卫星成为首个利用太空生长晶体制造集成电路的国家。目前，中国在其运行中的天宫空间站上已具备芯片制造能力，这使得美国感到紧迫。

该法案的参议院版本发起人、北卡罗来纳州共和党参议员泰德·巴德（Ted Budd）表示，新法案为制造商开发微重力半导体技术开了“绿灯”。他指出，微重力环境因无重力且更接近太阳，已被证明能生产出比地面制造更优质的材料。巴德在声明中强调，数家美国公司已在设备、发射能力和先进芯片制造领域投资，美国已拥有势头，不能停滞不前。

随着太空经济从研究阶段转向工业化阶段，美国正寻求巩固其技术优势。目前，美国与俄罗斯、欧洲、日本和加拿大的航天机构共享国际空间站，但现场禁止进行军事研究。国际空间站计划于2030年退役，私营公司正在投资后续的商业平台。德尔贝内警告，如果新平台不能尽快投入运营，中国可能成为唯一拥有可运行空间站来开发芯片材料的国家。这一情况发生在数据中心扩张和人工智能热潮导致全球硅芯片短缺的背景下。

德尔贝内在声明中表示，美国通过《芯片与科学法案》在提升国内产能方面取得了巨大进展，但半导体竞赛正在演变，芯片制造的下一个前沿是太空。今年早些时候，Aegis Aerospace与United Semiconductors达成合作，共同开发太空半导体制造平台。12月，Space Forge成功在轨道上生成等离子体，展示了在近地轨道自主平台上创造和控制气相晶体生长条件的可行性。与此同时，埃隆·马斯克（Elon Musk）的SpaceX——该公司本周进行了规模最大的首次公开募股之一，并于周五开始在股市交易——计划使用其即将在德克萨斯州建设的Terafab工厂制造的芯片，在太空部署人工智能数据中心。

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