维度网讯，三星（Samsung）在2026年VLSI研讨会（VLSI Symposium 2026）上公布了下一代SSD技术路线图，计划通过堆叠多达1000层NAND闪存，使SSD存储容量达到当前型号的四倍，为消费级驱动器提供高达32TB的容量铺平道路。

三星不打算制造单块1000层芯片，而是采用单元多键合（Cell-Multi Bonding，CMB）技术，将两个独立的450至500层NAND堆栈粘合在一起。该公司表示，随着人工智能、数据中心和企业负载对存储的需求增长，大容量SSD的需求正在快速增加。三星正在加速NAND开发路线图，计划到2029年实现420层NAND，到2030年超过560层，随后在下一个十年初期突破1000层。

构建数百层NAND芯片面临多项难题，其中最大的问题是晶圆翘曲导致制造精度下降。三星通过新的“上卡盘”（Upper Chuck）设计改善了生产过程中的晶圆稳定性，并开发了先进的覆盖校正技术以减少对准误差。这些改进旨在使超高叠层NAND制造更实用，降低生产挑战。

技术分析师伊恩·库特雷斯博士（Dr. Ian Cutress）表示，通过单元多键合将两个450层NAND堆栈合二为一的设计可显著提高容量。例如，采用当前技术的8TB QLC SSD，利用三星未来1000层架构可能扩展到32TB。

在开发更高密度NAND存储的竞赛中，SK海力士（SK Hynix）率先实现了321层NAND技术的商业化，并利用混合键合（Hybrid Bonding）工艺开发400层NAND。三星则在探索垂直键合（Vertical Bonding）技术。中国存储制造商长江存储（YMTC）已生产232层和294层NAND芯片，并投资新设施扩大产能。

三星的900至1000层NAND技术仍处于原型阶段，商用产品预计在2030年左右面世。在此之前，该公司计划在未来几年内推出超过400层的NAND芯片，逐步实现存储容量远超当前型号的长期目标。

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