维度网讯，7月3日，日本铠侠宣布，第十代BiCS FLASH 3D闪存设备已正式开始交付样品。新一代产品面向高性能、大容量和低功耗存储需求，将用于后续SSD、移动终端、数据中心及AI相关存储产品验证。

第十代BiCS FLASH延续铠侠在3D NAND闪存上的技术路线，把存储单元继续向纵向堆叠、高密度集成和低功耗访问方向推进。3D NAND与传统平面NAND不同，它通过垂直堆叠存储层提升单位芯片容量，在不单纯依赖更小制程线宽的情况下继续提高存储密度。铠侠这次开始送样，意味着新一代闪存颗粒已经进入客户评估阶段，下游厂商可以围绕主控芯片、固件、封装形式、功耗控制和系统兼容性展开测试。样品阶段不会马上等同于大规模上市，但它是存储颗粒进入终端产品设计、客户认证和量产准备前的重要节点。

新产品的核心方向集中在性能、容量和功耗三项指标。对SSD和嵌入式存储设备来说，闪存颗粒本身的接口速度、读写效率和能耗表现，会直接影响整机存储吞吐、续航能力、散热压力和长期运行稳定性。

AI应用正在改变NAND闪存的需求结构。大模型训练、推理服务、视频生成、日志分析、向量数据库和企业数据归档，会持续增加对高容量存储和高速数据访问的需求。数据中心过去更关注计算芯片和高带宽内存，但大量模型参数、训练样本、缓存数据和业务数据仍需要NAND闪存承接。客户端PC、智能手机、车载系统和工业设备也在增加本地AI功能，这些终端需要更大容量、更低功耗和更可靠的嵌入式存储。铠侠第十代BiCS FLASH开始送样后，后续产品能否进入主流SSD和终端设备，还要看客户验证结果、良率爬坡、成本控制和不同容量版本的组合能力。

铠侠长期深耕NAND闪存，BiCS FLASH也是其核心产品线之一。第十代产品开始送样，说明公司已把下一代3D闪存从技术展示推进到客户验证环节。存储产业进入AI周期后，NAND厂商之间的竞争会更多落到堆叠架构、单位面积容量、功耗效率、接口速度、量产良率和客户平台适配能力上。